بررسی خواص الکتریکی نانوساختار قطعه ساندویچی بروموایندیوم فتالوسیانین با الکترودهای مس

چکیده لایه¬های نازک بروموایندیوم فتالوسیانین با استفاده از روش لایه نشانی پرتو الکترونی بر روی زیرلایه پلی¬بروسیلیکت ساخته شد. نمودارهای چگالی جریان برحسب ولتاژ به منظور بررسی خواص الکتریکی dc مورد بررسی قرار گرفت. به این منظور قطعه ساندویچی cu/brinpc/cu با ضخامت¬های 50نانومتر برای الکترودهای مس و 95نانومتر برای بروموایندیوم فتالوسیانین ساخته شد. بررسی چگالی جریان برحسب ولتاژ در تاریکی و تحت دماهای مختلف 298 تا 378 کلوین اندازه گیری شد. در طی این بررسی¬ها دو رفتار اهمیک و اتصال محدود بار فضایی مشاهده شد و ناحیه ولتاژ برای دو ناحیه مشخص شد، وهمچنین انرژی اکتیواسیون برای این دو ناحیه محاسبه شد. خواص الکتریکی ac نانو ساختار لایه نازک cu/brinpc/cu در محدوده دمایی 298 تا 378 کلوین و در فرکانس¬های بین 102 تا 105 هرتز مورد آزمایش قرار گرفت. ظرفیت با افزایش دما برای فرکانس¬های کوچکتر از 103هرتز افزایش می¬یابد و برای فرکانس¬های بزرگتر از آن تقریبا به دما بستگی ندارد. عامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می¬یابد تا به یک نقطه کمینه برسد و بعد از آن بصورت قابل ملاحضه¬ای افزایش می¬یابد. خواص الکتریکیac نانوساختار لایه نازک ماده مورد بررسی قرار گرفته توافق خوبی با مدل گاسوامی-گاسوامی دارد. همچنین خواص جذبی اپتیکی ماده مورد نظر بوسیله uv-vis مورد بررسی قرار گرفت.در این بررسی گاف انرژی اپتیکی مشخص شد. لغات کلیدی: بروموایندیوم فتالوسیانین، خواص الکتریکی dc، خواص الکتریکی ac، گاف انرژی اپتیکی.